30-250-V-SGT-N-Kanal-Leistungs-MOSFET

Trench-MOSFET und Hauptmerkmale •Design mit hoher Zelldichte •Ideal für miniaturisierte Gehäuse •Integrierter GS-ESD-Schutz •Spannungsbereich: 12V-200V SGT MOSFET & Hauptmerkmale • Fortschrittliche Shield-Gate-Trench-Technologie •Ultra niedrige Gate-...

Mehrkanal-MOSFET-Leistungs-MOSFET

Trench-MOSFET und Hauptmerkmale •Design mit hoher Zelldichte •Ideal für miniaturisierte Gehäuse •Integrierter GS-ESD-Schutz •Spannungsbereich: 12V-200V SGT MOSFET & Hauptmerkmale • Fortschrittliche Shield-Gate-Trench-Technologie •Ultra niedrige Gate-...

Wayon Super Junction MOSFET 600V

Beschreibung WAYON beherrscht sowohl die Deep-Trench- als auch die Multi-EPI-Super-Junction-MOSFET-Technologie und verfügt über ein sehr umfassendes Produktportfolio. Die Produktspezifikationen für Super-Junction-MOSFETs decken 500 V–1200 V, 2 A–99 A...

Diskrete IGBTs

Niederspannungs-MOSFET

Hochleistungs-MOSFET 650V

Einführung Wayon WMOSTM C2 ist eine neue Spitzentechnologie auf Siliziumbasis für Hochspannungs-Leistungs-MOSFETs. Unter Verwendung des fortschrittlichen Super-Junction-Prinzips kann die Technologie RDS(on) pro Fläche im Vergleich zu herkömmlichem VD...

Hochspannungs-MOSFET 700V

Wyon WMOS TM Leistungs-MOSFET der EM-Serie Das Produkt zur Verbesserung der EMI-Leistung von Wayon Super-Junction-Technologie Einführung Wyon WMOS TM EM wird das schnelle Schaltverhalten in Kombination mit den Anforderungen an die Benutzerfreundlichk...

800V MOSFET

Wyon WMOS TM 2 nd Generation Technologie 800V Leistungs-MOSFET der M3-Serie Die neuen Produkte der fortschrittlichen Super-Junction-Technologie von Wayon Einführung Telefon 800V WMOS TM M3 ist eine neue Spitzentechnologie auf Siliziumbasis, die sich ...

Leistungs-MOSFET> 900V

Leistung MOSFET 900V, 950V, 1000V, 1050V, 1200V WMOS-Zug TM 2 rd Generation Technologie C2 Serie Power MOSFET Das neue Produkt der Wayon Super Junction Technologie Einführung WMOS-Zug TM C2 ist eine neue siliziumbasierte Spitzentechnologie für Hoch...

N-Kanal Leistungs-MOSFET 500V&550V

WAYON 3 rd Generation Technology Leistungs-MOSFET der C4-Serie Einführung Basierend auf der Super-Junction-Technologie mit sehr hoher Leistungsdichte wird Wayon WMOSTM C4 die schaltbezogenen Leistungskennzahlen (FOM) und Anwendungsleistungseigenschaf...